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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
關鍵字： IR HEXFET MOSFET

IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關、系統(tǒng)和負載開關、輕載電機驅動，以及電信設備等應用。　　新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優(yōu)化了性能及價格。　　IR
關鍵字： IR MOSFET HEXFET

IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術的新產(chǎn)品

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術。　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現(xiàn)基準性能，適用于網(wǎng)絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源(SMPS)及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶的特定應用提供
關鍵字： IR MOSFET HEXFET

IR拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術。　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現(xiàn)基準性能，適用于網(wǎng)絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源(SMPS)及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶的特定應用提供
關鍵字： IR MOSFET HEXFET

IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。　　這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。
關鍵字： IR MOSFET HEXFET

IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關鍵字： InternationalRectifier HEXFET MOSFET

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